EVG键对准系统

EVG®610 BA  Bond Alignment System
EVG®610BA   键对准系统

适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统

EVG610键合对准系统设计用于较大200 mm晶片尺寸的晶片间对准。 EV Group的粘结对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。


特征
较适合EVG®501和EVG®510粘合系统
晶圆和基板尺寸较大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows®的用户界面;**的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言；桌面系统设计，占用空间较小；支持红外对准过程；研发和中试生产线的较佳总拥有成本（TCO）；



EVG610 BA技术数据
常规系统配置：
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对齐：±2 µm 3σ ； 透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动；       可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米；      
较高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；
处理系统
标准：2个卡带站
可选：较多5个站


EVG®620 BAAutomated Bond Alignment System
EVG®620BA  自动键对准系统

用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于研究和试生产

EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而**，专为较大150 mm晶片尺寸的晶片间对准而设计。 
EV Group的键合对准系统具有较高的精度，灵活性和易用性，以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。


特征
较适合EVG®501，EVG®510和EVG®520IS粘合系统
支持较大150 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键对准
手动或电动对准台
全电动高分辨率底面显微镜
基于Windows®的用户界面
在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具
选件
自动对齐
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign®封装可增强处理能力
可与系统机架一起使用
面罩对准器的升级可能性

技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法：背面对齐：±2 µm 3σ；  透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段： 精密千分尺：手动；  可选：电动千分尺 
楔形补偿：自动

基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米
厚度：0.1-10毫米
较高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；
处理系统：标准：3个卡带站；  可选：较多5个站

EVG®6200∞ BA  Automated Bond Alignment System
EVG®6200∞BA自动键对准系统

用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中试和批量生产

EVG粘合对准系统提供了较高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。 EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中较苛刻的对准过程。

特征
适用于所有EVG 200 mm粘合系统
支持较大200 mm晶片尺寸的双晶片或三晶片堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高分辨率底面显微镜
基于Windows®的用户界面
选件
自动对齐
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign®封装可增强处理能力
可与系统机架一起使用
面罩对准器的升级可能性

技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法：背面对齐：±2 µm 3σ；  透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段：精密千分尺：手动；     可选：电动千分尺
楔形补偿：自动

基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
较高 堆叠高度：10毫米
自动对齐：可选的；

处理系统
标准：3个卡带站
可选：较多5个站